SE6080A - описание и поиск аналогов

 

SE6080A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE6080A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SE6080A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE6080A даташит

 ..1. Size:437K  cn sino-ic
se6080a.pdfpdf_icon

SE6080A

Dec 2014 SE6080A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =60V DS charge. R =6.5m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurat

 8.1. Size:910K  cn sino-ic
se4060 se6080s se8090s.pdfpdf_icon

SE6080A

May 2015 SE4060,SE6080S,SE8090S N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =7m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device

Другие MOSFET... SE60120B , SE60120GTS , SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , AO3401 , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA .

History: FDS89161LZ | JMSL1040AGQ | SRC65R100B | 2SJ332S | APM4925K | JMSL1040AK | J330

 

 

 

 

↑ Back to Top
.