SE630K Todos los transistores

 

SE630K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE630K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SE630K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  cn sino-ic
 se630k.pdf pdf_icon

SE630K

SE630KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 200VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParameter

Otros transistores... SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , 8205A , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA .

History: VBZM150N03 | JCS10N65FC | IRF540NLPBF | PSMN9R0-30LL | STN454D | IPB090N06N3 | GSM9575S

 

 
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