SE630K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE630K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Encapsulados: TO252
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SE630K datasheet
se630k.pdf
SE630K N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 200V DS low gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-252 Absolute Maximum Ratings Parameter
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