Справочник MOSFET. SE630K

 

SE630K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE630K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SE630K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE630K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  cn sino-ic
 se630k.pdf pdf_icon

SE630K

SE630KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 200VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParameter

Другие MOSFET... SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , 8205A , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA .

History: HM18N40F | CTD06N017 | NVMFS5C646NL | AO6801E | RU1HL8L | SL2P03F

 

 
Back to Top

 


 
.