SE630K - описание и поиск аналогов

 

SE630K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE630K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SE630K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE630K даташит

 ..1. Size:640K  cn sino-ic
 se630k.pdf pdf_icon

SE630K

SE630K N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 200V DS low gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-252 Absolute Maximum Ratings Parameter

Другие MOSFET... SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , IRFP260 , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA .

History: H12N60F | SWP80N08V1 | SMF12N65 | 2SK1708

 

 

 

 

↑ Back to Top
.