SE630K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE630K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SE630K
SE630K Datasheet (PDF)
se630k.pdf
SE630KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 200VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParameter
Другие MOSFET... SE6016B , SE6020B , SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , IRFP260 , SE6880A , SE720 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA .
History: AP30T10GS | SGSP201
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364


