SE720 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE720
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: DFN2X2X0.75
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SE720 datasheet
se720.pdf
Sep 2015 SE720 PNP Low VCEsat Transistor with N-Channel Trench MOSFET Revision A General Description Features Combination of PNP low VCEsat Breakthrough in For a single MOSFET Small Signal transistor and N-Channel Trench V = 20V DS MOSFET R = 500m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement R = 900m @V =2.5V DS(ON) GS Small Package Outline Surface
Otros transistores... SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SPP20N60C3 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G .
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