SE720 Todos los transistores

 

SE720 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE720
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75
 

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SE720 Datasheet (PDF)

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SE720

Sep 2015SE720PNP Low VCEsat Transistor with N-Channel Trench MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough in For a single MOSFETSmall Signal transistor and N-Channel Trench V = 20VDSMOSFET R = 500m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement R = 900m @V =2.5VDS(ON) GS Small Package Outline Surface

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History: FDFMA2P857 | 1N60L-TN3-R

 

 
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