SE720 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE720
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75
Búsqueda de reemplazo de SE720 MOSFET
SE720 Datasheet (PDF)
se720.pdf

Sep 2015SE720PNP Low VCEsat Transistor with N-Channel Trench MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough in For a single MOSFETSmall Signal transistor and N-Channel Trench V = 20VDSMOSFET R = 500m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement R = 900m @V =2.5VDS(ON) GS Small Package Outline Surface
Otros transistores... SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , IRF9540N , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G .
History: JMSL0604AG | BSC152N10NSFG | BSC265N10LSFG
History: JMSL0604AG | BSC152N10NSFG | BSC265N10LSFG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor