SE720 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE720
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75
Búsqueda de reemplazo de SE720 MOSFET
SE720 Datasheet (PDF)
se720.pdf

Sep 2015SE720PNP Low VCEsat Transistor with N-Channel Trench MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough in For a single MOSFETSmall Signal transistor and N-Channel Trench V = 20VDSMOSFET R = 500m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement R = 900m @V =2.5VDS(ON) GS Small Package Outline Surface
Otros transistores... SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , AON7410 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G .
History: KRF7319 | IRFI9Z24G | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12
History: KRF7319 | IRFI9Z24G | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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