Справочник MOSFET. SE720

 

SE720 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE720
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2X0.75
 

 Аналог (замена) для SE720

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE720 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  cn sino-ic
 se720.pdf pdf_icon

SE720

Sep 2015SE720PNP Low VCEsat Transistor with N-Channel Trench MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough in For a single MOSFETSmall Signal transistor and N-Channel Trench V = 20VDSMOSFET R = 500m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement R = 900m @V =2.5VDS(ON) GS Small Package Outline Surface

Другие MOSFET... SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , AON7410 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G .

History: CJK2009 | BUK9K6R8-40E | P1850EF | SFF10N100B | DMN67D8LW | HGA028NE6AL | BRCS120N06SYM

 

 
Back to Top

 


 
.