SE720 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE720
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2X0.75
Аналог (замена) для SE720
SE720 Datasheet (PDF)
se720.pdf
Sep 2015SE720PNP Low VCEsat Transistor with N-Channel Trench MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesCombination of PNP low VCEsat Breakthrough in For a single MOSFETSmall Signal transistor and N-Channel Trench V = 20VDSMOSFET R = 500m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement R = 900m @V =2.5VDS(ON) GS Small Package Outline Surface
Другие MOSFET... SE6020DB , SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SPP20N60C3 , SE7314 , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G .
History: SI4416DY | AP9467GJ-HF | SIHA21N60EF
History: SI4416DY | AP9467GJ-HF | SIHA21N60EF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor


