SE7314 Todos los transistores

 

SE7314 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE7314
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SE7314 Datasheet (PDF)

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SE7314

SHANGHAI July 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7314 Dual-20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features SE7314 is produced with high cell density VDS= -20V DMOS trench technology, which is especially RDS(on)= 68m @VGS= -1.8VID = -2A used to minimize on-state resistance. This RDS(on)= 52m @VGS= -2.5VID = -4.1A device

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History: IRFH4213 | IXTA5N60P | HM4892A

 

 
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