SE7314 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE7314
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SE7314
SE7314 Datasheet (PDF)
se7314.pdf
SHANGHAI July 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7314 Dual-20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features SE7314 is produced with high cell density VDS= -20V DMOS trench technology, which is especially RDS(on)= 68m @VGS= -1.8VID = -2A used to minimize on-state resistance. This RDS(on)= 52m @VGS= -2.5VID = -4.1A device
Другие MOSFET... SE60210GA , SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SKD502T , SE7401P , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A .
History: SWC1N60 | SML100C4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419


