SE7314 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE7314
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SE7314 Datasheet (PDF)
se7314.pdf
SHANGHAI July 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7314 Dual-20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:A General Description Features SE7314 is produced with high cell density VDS= -20V DMOS trench technology, which is especially RDS(on)= 68m @VGS= -1.8VID = -2A used to minimize on-state resistance. This RDS(on)= 52m @VGS= -2.5VID = -4.1A device
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918