SE7401P Todos los transistores

 

SE7401P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE7401P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT363

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SE7401P datasheet

 ..1. Size:512K  cn sino-ic
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SE7401P

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401P 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene

 8.1. Size:508K  cn sino-ic
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SE7401P

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401U 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene

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History: NTTFS5820NL | JMSL1040AGQ | SRC65R100B | 2SJ332S | SE80160G | JMSL1040AK | J330

 

 

 

 

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