SE7401P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE7401P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.7(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de SE7401P MOSFET
SE7401P Datasheet (PDF)
se7401p.pdf
SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401P 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene
se7401u.pdf
SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401U 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene
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