SE7401P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE7401P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de la puerta (Qg): 15.2 nC
Tiempo de subida (tr): 3.7(max) nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 138 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE7401P
SE7401P Datasheet (PDF)
se7401p.pdf
SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401P 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene
se7401u.pdf
SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401U 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene
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