Справочник MOSFET. SE7401P

 

SE7401P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE7401P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.7(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для SE7401P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE7401P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  cn sino-ic
 se7401p.pdf pdf_icon

SE7401P

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401P 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene

 8.1. Size:508K  cn sino-ic
 se7401u.pdf pdf_icon

SE7401P

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401U 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene

Другие MOSFET... SE60300G , SE6050B , SE6080A , SE60P20B , SE630K , SE6880A , SE720 , SE7314 , IRFB3607 , SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.