SE8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE8205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0245 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
SE8205A Datasheet (PDF)
se8205a.pdf

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions: (Unit:mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
se8209.pdf

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max
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History: IPA65R1K0CE | WMK25N50C4 | C2M0160120D | AOT416
History: IPA65R1K0CE | WMK25N50C4 | C2M0160120D | AOT416



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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