SE8205A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SE8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 330 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0245 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
SE8205A Datasheet (PDF)
se8205a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions: (Unit:mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
se8209.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PMN34LN
History: PMN34LN
![SE8205A](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SE8205A](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SE8205A](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C