SE8205A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0245 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для SE8205A
SE8205A Datasheet (PDF)
se8205a.pdf

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions: (Unit:mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
se8209.pdf

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max
Другие MOSFET... SE7401U , SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , IRLB4132 , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP .
History: MMP3443 | SE8810 | HGI090NE6A | IXFH140N10P | NTJS3157NT4 | 2SK1494 | BLP039N08-B
History: MMP3443 | SE8810 | HGI090NE6A | IXFH140N10P | NTJS3157NT4 | 2SK1494 | BLP039N08-B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555