SE8209 Todos los transistores

 

SE8209 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE8209
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP
 

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SE8209 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cn sino-ic
 se8209.pdf pdf_icon

SE8209

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max

 9.1. Size:422K  cn sino-ic
 se8205a.pdf pdf_icon

SE8209

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions: (Unit:mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

Otros transistores... SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , NCEP15T14 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 .

History: 2SK3788-01 | 20N3LG-TO251 | SML1004R2GN | TPM2030-3 | 2SK3773-01MR | IXTT240N15X4HV | SIR432DP

 

 
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