SE8209 - описание и поиск аналогов

 

SE8209. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE8209

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TSSOP

Аналог (замена) для SE8209

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8209 даташит

 ..1. Size:366K  cn sino-ic
 se8209.pdf pdf_icon

SE8209

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max

 9.1. Size:422K  cn sino-ic
 se8205a.pdf pdf_icon

SE8209

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision B External Dimensions (Unit mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

Другие MOSFET... SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , NCEP15T14 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.