Справочник MOSFET. SE8209

 

SE8209 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE8209
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8209 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cn sino-ic
 se8209.pdf pdf_icon

SE8209

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max

 9.1. Size:422K  cn sino-ic
 se8205a.pdf pdf_icon

SE8209

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions: (Unit:mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

Другие MOSFET... SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , IRFP450 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 .

 

 
Back to Top

 


 
.