SE8209 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SE8209
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TSSOP
Аналог (замена) для SE8209
SE8209 Datasheet (PDF)
se8209.pdf

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8209 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON) = 26m @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON) = 40m @ VGS=2.5V @Ids=3A Applications Battery protection Load switch Power management Construction Silicon epitaxial planer Absolute Max
se8205a.pdf

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions: (Unit:mm) Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
Другие MOSFET... SE80100GA , SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , IRFP450 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 .
History: MEM2310M3 | NVMFS5C460N
History: MEM2310M3 | NVMFS5C460N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor