SE85130GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE85130GA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE85130GA
SE85130GA Datasheet (PDF)
se85130ga.pdf
SE85130GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 85VDSoperation voltage. This device is suitable for R =4.6m @ V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline
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Liste
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