SE85130GA Todos los transistores

 

SE85130GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE85130GA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SE85130GA Datasheet (PDF)

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SE85130GA

SE85130GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 85VDSoperation voltage. This device is suitable for R =4.6m @ V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

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History: FCP190N65S3 | IPB16CN10NG | BLM10P03-D | QM3022M6 | UT2301G-AE2-R | 2SK1205

 

 
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