Справочник MOSFET. SE85130GA

 

SE85130GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE85130GA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SE85130GA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE85130GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  cn sino-ic
 se85130ga.pdf pdf_icon

SE85130GA

SE85130GAN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = 85VDSoperation voltage. This device is suitable for R =4.6m @ V =10VDS(ON) GSusing as a load switch or in PWMapplications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

Другие MOSFET... SE80130G , SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , IRFP250 , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P .

History: IRFI744GPBF | NTD5806NT4G | ELM33410CA | LND150N3 | SWB062R68E7T | NTMFS4H02NF | ME4410AD

 

 
Back to Top

 


 
.