SE85210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE85210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 914 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Búsqueda de reemplazo de SE85210 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SE85210 datasheet
se85210.pdf
SE85210 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S
Otros transistores... SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , STP80NF70 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor
