SE85210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE85210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 310 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 210 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
Carga de la puerta (Qg): 250 nC
Tiempo de subida (tr): 190 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 914 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220 TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE85210
SE85210 Datasheet (PDF)
se85210.pdf
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SE85210N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsS
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