SE85210 Todos los transistores

 

SE85210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE85210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 914 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de SE85210 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE85210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  cn sino-ic
 se85210.pdf pdf_icon

SE85210

SE85210N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsS

Otros transistores... SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , 18N50 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N .

History: WSD3056DN | WMP10N105C2 | RU6H7R | BSN20 | WMK110N20HG2 | AS2318 | IRFBA22N50APBF

 

 
Back to Top

 


 
.