SE85210 Todos los transistores

 

SE85210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE85210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 914 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO220 TO263

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SE85210 datasheet

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SE85210

SE85210 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S

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