Справочник MOSFET. SE85210

 

SE85210 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SE85210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 210 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 250 nC
   Время нарастания (tr): 190 ns
   Выходная емкость (Cd): 914 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO263

 Аналог (замена) для SE85210

 

 

SE85210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  cn sino-ic
se85210.pdf

SE85210
SE85210

SE85210N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top