Справочник MOSFET. SE85210

 

SE85210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE85210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO263
 

 Аналог (замена) для SE85210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE85210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  cn sino-ic
 se85210.pdf pdf_icon

SE85210

SE85210N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurationsS

Другие MOSFET... SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , 20N50 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N .

History: CHM4301ZGP | BSC097N06NST | 4N60KL-TA3-T | CED20N02 | IPD80R600P7 | IRHLUC7670Z4

 

 
Back to Top

 


 
.