SE85210 - описание и поиск аналогов

 

SE85210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE85210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO263

Аналог (замена) для SE85210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE85210 даташит

 ..1. Size:588K  cn sino-ic
 se85210.pdf pdf_icon

SE85210

SE85210 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S

Другие MOSFET... SE80130GA , SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , STP80NF70 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N .

History: APM2314AC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.