SE8810 Todos los transistores

 

SE8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP
 

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SE8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cn sino-ic
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SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

 0.1. Size:334K  cn sino-ic
 se8810a.pdf pdf_icon

SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Otros transistores... SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , IRF1407 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A .

History: HM20N65F | CJU4828 | NVMFD5C478N | 2SK947 | NTMFD4C20N | SRC65R1K3ES | RHU003N03

 

 
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