SE8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE8810
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP
Búsqueda de reemplazo de SE8810 MOSFET
SE8810 Datasheet (PDF)
se8810.pdf

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)
se8810a.pdf

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)
Otros transistores... SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , IRF1407 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A .
History: BSF450NE7NH3G | FDFS2P753AZ | CJU4828
History: BSF450NE7NH3G | FDFS2P753AZ | CJU4828



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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