SE8810 Todos los transistores

 

SE8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE8810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP

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SE8810 datasheet

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SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

 0.1. Size:334K  cn sino-ic
se8810a.pdf pdf_icon

SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Otros transistores... SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , IRFP450 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A .

History: AOD480

 

 

 


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