Справочник MOSFET. SE8810

 

SE8810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP
 

 Аналог (замена) для SE8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cn sino-ic
 se8810.pdf pdf_icon

SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

 0.1. Size:334K  cn sino-ic
 se8810a.pdf pdf_icon

SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Другие MOSFET... SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , IRF1407 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A .

History: AP2764AP-A | CJPF05N60 | PA110BV | 4N60KG-TF2-T | IXTA3N120TRL | IRF7807ZPBF | IXTF02N450

 

 
Back to Top

 


 
.