SE8810 - описание и поиск аналогов

 

SE8810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE8810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSSOP

Аналог (замена) для SE8810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8810 даташит

 ..1. Size:366K  cn sino-ic
 se8810.pdf pdf_icon

SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

 0.1. Size:334K  cn sino-ic
 se8810a.pdf pdf_icon

SE8810

SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8810A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

Другие MOSFET... SE80160G , SE80250G , SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , IRFP450 , SE8810A , SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A .

History: TK5A60W | AOD407 | DMP2225L | IXFQ50N50P3 | MSF10N65 | APM2323AAC | STS3417

 

 

 

 

↑ Back to Top
.