SE8830T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE8830T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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SE8830T datasheet
se8830t se8830a sed8830mp sed8830 sed8830p sed8830n.pdf
SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)
se8831a.pdf
Jul 2014 SE8831A Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =15.5m @V =4.5V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin
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