Справочник MOSFET. SE8830T

 

SE8830T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE8830T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для SE8830T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8830T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  cn sino-ic
 se8830t se8830a sed8830mp sed8830 sed8830p sed8830n.pdf pdf_icon

SE8830T

SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

 9.1. Size:395K  cn sino-ic
 se8831a.pdf pdf_icon

SE8830T

Jul 2014SE8831ADual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =15.5m @V =4.5VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin

Другие MOSFET... SE8090A , SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , P60NF06 , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A .

History: SM95N03A | TSM7401CS | AM7304N | NCEP6060GU | DE375-102N10A | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.