SE8N65A Todos los transistores

 

SE8N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE8N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SE8N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  cn sino-ic
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SE8N65A

Mar 2015SE8N65AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 650VDSlow gate charge. It can be used in a wide R = 1.085 @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-220FAbsolute Maximum Rati

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History: IXFH22N60P3 | AO3424 | QS5U21 | CMT04N60XN220 | AP42T03GP

 

 
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