SE8N65A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE8N65A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SE8N65A datasheet
se8n65a.pdf
Mar 2015 SE8N65A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 650V DS low gate charge. It can be used in a wide R = 1.085 @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-220F Absolute Maximum Rati
Otros transistores... SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , RFP50N06 , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M .
History: AO3451 | 2SK3121
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Liste
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