SE8N65A - описание и поиск аналогов

 

SE8N65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE8N65A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SE8N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8N65A даташит

 ..1. Size:539K  cn sino-ic
 se8n65a.pdf pdf_icon

SE8N65A

Mar 2015 SE8N65A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 650V DS low gate charge. It can be used in a wide R = 1.085 @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-220F Absolute Maximum Rati

Другие MOSFET... SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , RFP50N06 , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M .

History: BS107ARL1 | 2SJ529L | IRLML0030TR | MSF10N80 | IRHQ597110

 

 

 

 

↑ Back to Top
.