Справочник MOSFET. SE8N65A

 

SE8N65A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE8N65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SE8N65A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  cn sino-ic
 se8n65a.pdf pdf_icon

SE8N65A

Mar 2015SE8N65AN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 650VDSlow gate charge. It can be used in a wide R = 1.085 @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-220FAbsolute Maximum Rati

Другие MOSFET... SE8830T , SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SKD502T , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M .

History: STV200N55F3 | CEU83A3 | CED3172

 

 
Back to Top

 


 
.