SE9435 Todos los transistores

 

SE9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de SE9435 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SE9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cn sino-ic
 se9435.pdf pdf_icon

SE9435

SHANGHAI August 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide the VDS = -30 V best combination of fast switching, low ID = -5.3 A on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 0.050 @VGS = -10V Low gate charge. Fast switching speed. Applications Power management

 0.1. Size:469K  willas
 se9435lt1.pdf pdf_icon

SE9435

FM120-M WILLASTHRUSE9435LT130V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

Otros transistores... SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , IRFZ46N , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G .

History: CS13N50FA9D | QM3009K | IPB019N08N3G | FQI47P06TU | CEB02N7G | HIRFZ44F | AO4498E

 

 
Back to Top

 


 
.