SE9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SE9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SE9435 datasheet
se9435.pdf
SHANGHAI August 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide the VDS = -30 V best combination of fast switching, low ID = -5.3 A on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 0.050 @VGS = -10V Low gate charge. Fast switching speed. Applications Power management
se9435lt1.pdf
FM120-M WILLAS THRU SE9435LT1 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to
Otros transistores... SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SI2302 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G .
History: AP9980GM-HF
History: AP9980GM-HF
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Liste
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