Справочник MOSFET. SE9435

 

SE9435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE9435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SE9435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cn sino-ic
 se9435.pdf pdf_icon

SE9435

SHANGHAI August 2005 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide the VDS = -30 V best combination of fast switching, low ID = -5.3 A on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 0.050 @VGS = -10V Low gate charge. Fast switching speed. Applications Power management

 0.1. Size:469K  willas
 se9435lt1.pdf pdf_icon

SE9435

FM120-M WILLASTHRUSE9435LT130V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

Другие MOSFET... SE8830A , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , IRFZ46N , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G .

History: IPA029N06N | DMC2990UDJ | DMN3009LFVW | SI4320DY | IXFP130N10T2 | HGN059N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.