SE9926 Todos los transistores

 

SE9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE9926

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SE9926 datasheet

 ..1. Size:422K  cn sino-ic
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SE9926

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9926 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision B External Dimensions Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

Otros transistores... SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , AO3407 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M .

History: SGSP361 | STM6926

 

 

 


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