SE9926 Todos los transistores

 

SE9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SE9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  cn sino-ic
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SE9926

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9926 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

Otros transistores... SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , 7N60 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M .

History: IRFSL4115PBF | CSD17305Q5A | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | AP4951GM-HF

 

 
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