SE9926 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SE9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SE9926
SE9926 Datasheet (PDF)
se9926.pdf
SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9926 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
Другие MOSFET... SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , AO3407 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M .
History: 2SK1171-01 | NTTFS4824NTAG | FDS2672F085 | UPA1764G | IRF7321D2PBF | BSC010NE2LS | WMO26N60C4
History: 2SK1171-01 | NTTFS4824NTAG | FDS2672F085 | UPA1764G | IRF7321D2PBF | BSC010NE2LS | WMO26N60C4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet


