Справочник MOSFET. SE9926

 

SE9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SE9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SE9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  cn sino-ic
se9926.pdfpdf_icon

SE9926

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9926 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:B External Dimensions Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

Другие MOSFET... SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , 7N60 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M .

History: AUIRF8736M2TR | MTP4835Q8

 

 
Back to Top

 


 
.