SE9926. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SE9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SE9926
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SE9926 даташит
se9926.pdf
SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE9926 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision B External Dimensions Features VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
Другие MOSFET... SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , AO3407 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M .
History: 4N60KL-TMS4-T
History: 4N60KL-TMS4-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet

