FCB36N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCB36N60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de FCB36N60N MOSFET
FCB36N60N Datasheet (PDF)
fcb36n60n fcb36n60ntm.pdf

September 2010SupreMOSTMFCB36N60NN-Channel MOSFET 600V, 36A, 90mFeatures Description RDS(on) = 81m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies.
Otros transistores... FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 , FCB20N60 , 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , IRF3710 , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM .
History: FDMS3620S
History: FDMS3620S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N50D | AP5N50BD | AP5N40D | AP4953B | AP4953A | AP4606C | AP45P06NF | AP45P06D | AP4435B | AP4435A | AP4409A | AP4407B | AP4407A | AP4406B | AP4406A | AP25N04S
Popular searches
2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor