FCB36N60N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCB36N60N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: D2PAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FCB36N60N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FCB36N60N datasheet

 ..1. Size:355K  fairchild semi
 fcb36n60n fcb36n60ntm.pdf pdf_icon

FCB36N60N

September 2010 SupreMOSTM FCB36N60N N-Channel MOSFET 600V, 36A, 90m Features Description RDS(on) = 81m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies.

Otros transistores... FCA76N60N, 2SJ245, FCB11N60, 2SK3653, FCB20N60, 2SK3057, 2SK3469-01MR, FCB20N60F, IRFB4227, 2SJ279, FCD4N60, IRFD9020, FCD5N60, STU9916L, FCD7N60, STU816S, FCD9N60NTM