FCB36N60N - аналоги и даташиты транзистора

 

FCB36N60N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FCB36N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для FCB36N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB36N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  fairchild semi
 fcb36n60n fcb36n60ntm.pdf pdf_icon

FCB36N60N

September 2010SupreMOSTMFCB36N60NN-Channel MOSFET 600V, 36A, 90mFeatures Description RDS(on) = 81m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies.

Другие MOSFET... FCA76N60N , 2SJ245 , FCB11N60 , 2SK3653 , FCB20N60 , 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , IRF3710 , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM .

 

 
Back to Top

 


 
.