Справочник MOSFET. FCB36N60N

 

FCB36N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCB36N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для FCB36N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB36N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  fairchild semi
 fcb36n60n fcb36n60ntm.pdf pdf_icon

FCB36N60N

September 2010SupreMOSTMFCB36N60NN-Channel MOSFET 600V, 36A, 90mFeatures Description RDS(on) = 81m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 18A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 86nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.