SED14N65G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SED14N65G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de SED14N65G MOSFET
SED14N65G Datasheet (PDF)
sed14n65g.pdf

SED14N65GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =300m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations
Otros transistores... SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , CS150N03A8 , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G .
History: VS3622DP | STS8201 | ET2316 | IRLR8103VPBF | PMZ290UNE | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5
History: VS3622DP | STS8201 | ET2316 | IRLR8103VPBF | PMZ290UNE | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement