Справочник MOSFET. SED14N65G

 

SED14N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SED14N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SED14N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED14N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cn sino-ic
 sed14n65g.pdf pdf_icon

SED14N65G

SED14N65GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =300m @V =10VDS(ON) GSFOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount DevicePin configurations

Другие MOSFET... SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , CS150N03A8 , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G .

History: DMN3016LK3 | IXTA42N15T | DMN32D2LFB4

 

 
Back to Top

 


 
.