SED14N65G - описание и поиск аналогов

 

SED14N65G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SED14N65G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SED14N65G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED14N65G даташит

 ..1. Size:337K  cn sino-ic
 sed14n65g.pdf pdf_icon

SED14N65G

SED14N65G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =650V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =300m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

Другие MOSFET... SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , IRF520 , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G .

History: TN2106K1-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.