SED2145 Todos los transistores

 

SED2145 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SED2145

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0189 typ Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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SED2145 datasheet

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SED2145

Mar 2015 SED2145 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Advanced trench technology to provide For a single MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low V = -12V DS operation voltage. This device is suitable for R =18.9m @V =-4.5 @I =-10A DS(ON) GS DS using as a load switch or in PWM applications. R =26m @V =-2.5 @I =-8.9A

Otros transistores... SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , IRF2807 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM .

History: SI3475DV | CS10N50A8R | SW3N10 | NTTFS4937NTAG | STM8401 | 2SK3870-01 | SLD65R380E7C

 

 

 

 

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