SED2145 - аналоги и даташиты транзистора

 

SED2145 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SED2145
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 685 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0189(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для SED2145

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED2145 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  cn sino-ic
 sed2145.pdf pdf_icon

SED2145

Mar 2015SED2145P-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesAdvanced trench technology to provide For a single MOSFETexcellent RDS(ON), low gate charge and low V = -12VDSoperation voltage. This device is suitable for R =18.9m @V =-4.5 @I =-10ADS(ON) GS DSusing as a load switch or in PWM applications. R =26m @V =-2.5 @I =-8.9A

Другие MOSFET... SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 , SE9926 , SED10070GG , SED10080GG , SED14N65G , NCEP15T14 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM .

History: SE30P09D | AP3310GH | SWU12N70D | BSP030 | SWD7N65DA | HM1P10MR | STB100N6F7

 

 
Back to Top

 


 
.