SED4060G Todos los transistores

 

SED4060G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SED4060G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SED4060G datasheet

 ..1. Size:556K  cn sino-ic
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SED4060G

SED4060G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =40V DS low gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below D D D D 5 6 7 8 1 2 3 4 S S S G DFN5*6 A

 0.1. Size:584K  cn sino-ic
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SED4060G

SED4060GM N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =40V DS low gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below S S S G DFN3*3 Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , AO3400A , SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A .

History: IRF3205LPBF | LXP152ALT1G | 2SK3857CT | 30P06 | NTD4904N

 

 

 

 

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