SED4060G - описание и поиск аналогов

 

SED4060G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SED4060G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SED4060G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED4060G даташит

 ..1. Size:556K  cn sino-ic
 sed4060g.pdf pdf_icon

SED4060G

SED4060G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =40V DS low gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below D D D D 5 6 7 8 1 2 3 4 S S S G DFN5*6 A

 0.1. Size:584K  cn sino-ic
 sed4060gm.pdf pdf_icon

SED4060G

SED4060GM N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V =40V DS low gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below S S S G DFN3*3 Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , AO3400A , SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A .

History: 2SJ116 | FHD70N03A | SVF4N65FG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.