Справочник MOSFET. SED4060G

 

SED4060G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SED4060G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SED4060G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED4060G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  cn sino-ic
 sed4060g.pdf pdf_icon

SED4060G

SED4060GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =40VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowD D D D5 6 7 81 2 3 4S S S GDFN5*6A

 0.1. Size:584K  cn sino-ic
 sed4060gm.pdf pdf_icon

SED4060G

SED4060GMN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =40VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowSSSGDFN3*3Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... SED14N65G , SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , RU6888R , SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A .

History: IPD105N04LG | SUD50N10-34P | 7N65KL-TF1-T | BUK7M9R5-40H

 

 
Back to Top

 


 
.