SED4060G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SED4060G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.5 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 309 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
SED4060G Datasheet (PDF)
sed4060g.pdf
SED4060GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =40VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowD D D D5 6 7 81 2 3 4S S S GDFN5*6A
sed4060gm.pdf
SED4060GMN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =40VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowSSSGDFN3*3Absolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SM6442D1RL
