SED5852 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SED5852
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SED5852

SED5852 Datasheet (PDF)

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sed5852.pdf

SHANGHAI June 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SED5852 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The SED5852 uses advanced trench technology to provide VDS(V) = -20V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A ( VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional R

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Liste

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