SED5852 Todos los transistores

 

SED5852 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SED5852

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: MICROFET2X2

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SED5852 datasheet

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SED5852

SHANGHAI June 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision A SED5852 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The SED5852 uses advanced trench technology to provide VDS(V) = -20V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A ( VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional R

Otros transistores... SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , STP65NF06 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A , APM2317A , APM2324AA .

History: 2SK951-M | BSR302N | AFN4172WSS8 | IPA60R120C7

 

 

 

 

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