Справочник MOSFET. SED5852

 

SED5852 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SED5852
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET2X2
 

 Аналог (замена) для SED5852

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED5852 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  cn sino-ic
 sed5852.pdf pdf_icon

SED5852

SHANGHAI June 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SED5852 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The SED5852 uses advanced trench technology to provide VDS(V) = -20V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A ( VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional R

Другие MOSFET... SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , IRFZ48N , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A , APM2317A , APM2324AA .

History: IPD082N10N3G | AM40P10-200P

 

 
Back to Top

 


 
.