Справочник MOSFET. SED5852

 

SED5852 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SED5852
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET2X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SED5852 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  cn sino-ic
 sed5852.pdf pdf_icon

SED5852

SHANGHAI June 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SED5852 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The SED5852 uses advanced trench technology to provide VDS(V) = -20V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A ( VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional R

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI8404DB | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | BLM30DN06L-E

 

 
Back to Top

 


 
.