SED5852 - описание и поиск аналогов

 

SED5852. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SED5852

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: MICROFET2X2

Аналог (замена) для SED5852

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SED5852 даташит

 ..1. Size:615K  cn sino-ic
 sed5852.pdf pdf_icon

SED5852

SHANGHAI June 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision A SED5852 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The SED5852 uses advanced trench technology to provide VDS(V) = -20V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A ( VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional R

Другие MOSFET... SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , STP65NF06 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A , APM2317A , APM2324AA .

History: APM2605C | CS8N80A8H | AP4532GM-HF | BSR302N | SMK0825FZ | PJM3401PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.