Справочник MOSFET. SED5852

 

SED5852 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SED5852
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET2X2

 Аналог (замена) для SED5852

 

 

SED5852 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  cn sino-ic
 sed5852.pdf

SED5852 SED5852

SHANGHAI June 2007 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SED5852 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The SED5852 uses advanced trench technology to provide VDS(V) = -20V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A ( VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional R

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top