SM6166NHKP Todos los transistores

 

SM6166NHKP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6166NHKP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN5X6A-8-EP

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SM6166NHKP datasheet

 ..1. Size:580K  sino
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SM6166NHKP

SM6166NHKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/47A D D D D RDS(ON)=9m (max.)@VGS=10V RDS(ON)=13.7m (max.)@VGS=4.5V G S Pin 1 S S 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged DFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (5,6,7,8) D D D D Applications Secondary Side Synchronous Rectification (4) G DC-

Otros transistores... APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , IRFP064N , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE .

History: FX3ASJ-3 | IRLU3114ZPBF | MCAC10H03

 

 

 

 

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