SM6166NHKP Todos los transistores

 

SM6166NHKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6166NHKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6A-8-EP
 

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SM6166NHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  sino
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SM6166NHKP

SM6166NHKPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/47ADDDDRDS(ON)=9m(max.)@VGS=10VRDS(ON)=13.7m(max.)@VGS=4.5VGS Pin 1SS 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedDFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(5,6,7,8)D D D DApplications Secondary Side Synchronous Rectification(4) G DC-

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