SM6166NHKP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM6166NHKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP
Аналог (замена) для SM6166NHKP
SM6166NHKP Datasheet (PDF)
sm6166nhkp.pdf

SM6166NHKPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/47ADDDDRDS(ON)=9m(max.)@VGS=10VRDS(ON)=13.7m(max.)@VGS=4.5VGS Pin 1SS 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedDFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(5,6,7,8)D D D DApplications Secondary Side Synchronous Rectification(4) G DC-
Другие MOSFET... APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , 5N50 , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE .
History: HY3007P | 6N80 | WSP08N10 | STU334S | 2SK4144-AZ | NTLJD3182FZTBG | NCE0110K
History: HY3007P | 6N80 | WSP08N10 | STU334S | 2SK4144-AZ | NTLJD3182FZTBG | NCE0110K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3