Справочник MOSFET. SM6166NHKP

 

SM6166NHKP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM6166NHKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP

 Аналог (замена) для SM6166NHKP

 

 

SM6166NHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  sino
 sm6166nhkp.pdf

SM6166NHKP SM6166NHKP

SM6166NHKPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/47ADDDDRDS(ON)=9m(max.)@VGS=10VRDS(ON)=13.7m(max.)@VGS=4.5VGS Pin 1SS 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedDFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(5,6,7,8)D D D DApplications Secondary Side Synchronous Rectification(4) G DC-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top