Справочник MOSFET. SM6166NHKP

 

SM6166NHKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6166NHKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP
 

 Аналог (замена) для SM6166NHKP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6166NHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  sino
 sm6166nhkp.pdf pdf_icon

SM6166NHKP

SM6166NHKPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/47ADDDDRDS(ON)=9m(max.)@VGS=10VRDS(ON)=13.7m(max.)@VGS=4.5VGS Pin 1SS 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedDFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(5,6,7,8)D D D DApplications Secondary Side Synchronous Rectification(4) G DC-

Другие MOSFET... APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , 5N50 , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.