SM6166NHKP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM6166NHKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP
Аналог (замена) для SM6166NHKP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM6166NHKP даташит
sm6166nhkp.pdf
SM6166NHKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/47A D D D D RDS(ON)=9m (max.)@VGS=10V RDS(ON)=13.7m (max.)@VGS=4.5V G S Pin 1 S S 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged DFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (5,6,7,8) D D D D Applications Secondary Side Synchronous Rectification (4) G DC-
Другие MOSFET... APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , IRFP064N , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3

