VS150N08BT Todos los transistores

 

VS150N08BT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS150N08BT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 259 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 155 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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VS150N08BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  cn vanguard
 vs150n08bt.pdf pdf_icon

VS150N08BT

VS150N08BT 80V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.5 m N-Channel10V Logic Level Control I D 155 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS150N08BT TO-220AB

Otros transistores... SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , IRF730 , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE .

History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5

 

 
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