VS150N08BT - описание и поиск аналогов

 

VS150N08BT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS150N08BT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VS150N08BT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS150N08BT даташит

 ..1. Size:695K  cn vanguard
 vs150n08bt.pdf pdf_icon

VS150N08BT

VS150N08BT 80V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.5 m N-Channel 10V Logic Level Control I D 155 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS150N08BT TO-220AB

Другие MOSFET... SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , AO4468 , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE .

History: SI1016CX | STD15NF10 | PJM3407PSA | WMP10N100C2 | SM7340EHKP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.