Справочник MOSFET. VS150N08BT

 

VS150N08BT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS150N08BT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VS150N08BT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS150N08BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  cn vanguard
 vs150n08bt.pdf pdf_icon

VS150N08BT

VS150N08BT 80V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.5 m N-Channel10V Logic Level Control I D 155 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS150N08BT TO-220AB

Другие MOSFET... SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , IRFP064N , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE .

History: NCE60H15AD | CS7N70F | OSG70R1KPF | FDFME2P823ZT | MP15N60EIC | IXTQ26N50P

 

 
Back to Top

 


 
.