VS150N08BT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS150N08BT
Маркировка: 150N08BT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 259 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 155 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 69 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 570 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VS150N08BT
VS150N08BT Datasheet (PDF)
..1. Size:695K cn vanguard
vs150n08bt.pdf
vs150n08bt.pdf
VS150N08BT 80V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.5 m N-Channel10V Logic Level Control I D 155 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS150N08BT TO-220AB
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
