Справочник MOSFET. VS150N08BT

 

VS150N08BT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS150N08BT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 259 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VS150N08BT

 

 

VS150N08BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  cn vanguard
 vs150n08bt.pdf

VS150N08BT VS150N08BT

VS150N08BT 80V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.5 m N-Channel10V Logic Level Control I D 155 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS150N08BT TO-220AB

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top