VS1606GS Todos los transistores

 

VS1606GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS1606GS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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VS1606GS Datasheet (PDF)

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VS1606GS

VS1606GS 100V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 13 A VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information

Otros transistores... SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , BS170 , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC .

History: SM3303PSQG | VS150N08BT | AFP9565S | SVF4N70F | SWD7N60K2F | KMB035N40DC

 

 
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