Справочник MOSFET. VS1606GS

 

VS1606GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS1606GS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для VS1606GS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS1606GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:749K  cn vanguard
 vs1606gs.pdf pdf_icon

VS1606GS

VS1606GS 100V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 13 A VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information

Другие MOSFET... SM1A63NHUC , SM3419NHQA , SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , BS170 , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC .

History: IRF7Y1405CM | SIA444DJT | SWT47N65K | 2SK3847B | 60N06L-TQ2-T | P5506HVG | CTU03N8P5

 

 
Back to Top

 


 
.