VS3508AE Todos los transistores

 

VS3508AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3508AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VS3508AE datasheet

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VS3508AE

VS3508AE -30V/-47A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 8.5 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 15 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -47 A Fast Switching PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel in

Otros transistores... SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , 20N60 , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE .

History: VN0104N5 | BLM2302 | WMK14N70C4 | 2SK1647S | VP0300M | BLM7002K | VBZM8N50

 

 

 

 

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