VS3508AE Todos los transistores

 

VS3508AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3508AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
 

 Búsqueda de reemplazo de VS3508AE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS3508AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1033K  cn vanguard
 vs3508ae.pdf pdf_icon

VS3508AE

VS3508AE -30V/-47A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 8.5 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 15 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -47 A Fast Switching PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel in

Otros transistores... SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , 20N60 , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE .

History: HGP098N10A | IRFV460 | SWF7N65M | IXTH4N100L | STT10L01 | HY10P10U | WFF4N60

 

 
Back to Top

 


 
.