VS3508AE - аналоги и даташиты транзистора

 

VS3508AE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VS3508AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS3508AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3508AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1033K  cn vanguard
 vs3508ae.pdf pdf_icon

VS3508AE

VS3508AE -30V/-47A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 8.5 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 15 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -47 A Fast Switching PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel in

Другие MOSFET... SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , 20N60 , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE .

History: RU80N15S | HUF75852G3

 

 
Back to Top

 


 
.