VS3518AE Todos los transistores

 

VS3518AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3518AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VS3518AE datasheet

 ..1. Size:662K  cn vanguard
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VS3518AE

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

 9.1. Size:1080K  cn vgsemi
 vs3510ds.pdf pdf_icon

VS3518AE

VS3510DS -30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -30 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement mode I D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiency SOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Packa

Otros transistores... SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , IRF540N , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE .

History: VS3620GPMC | WMJ15N80M3 | WSF3040 | WSD40N10GDN56 | WMJ25N80M3 | WMK18N65EM | WMK20N70D1

 

 

 

 

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