Справочник MOSFET. VS3518AE

 

VS3518AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3518AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS3518AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3518AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  cn vanguard
 vs3518ae.pdf pdf_icon

VS3518AE

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

 9.1. Size:1080K  cn vgsemi
 vs3510ds.pdf pdf_icon

VS3518AE

VS3510DS-30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS -30 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement modeI D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiencySOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Packa

Другие MOSFET... SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , IRF540 , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE .

History: HAT2276R

 

 
Back to Top

 


 
.