VS3518AE - описание и поиск аналогов

 

VS3518AE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3518AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VS3518AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3518AE даташит

 ..1. Size:662K  cn vanguard
 vs3518ae.pdf pdf_icon

VS3518AE

VS3518AE -30V/-35A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 15 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 23 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -35 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

 9.1. Size:1080K  cn vgsemi
 vs3510ds.pdf pdf_icon

VS3518AE

VS3510DS -30V/-10A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -30 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 13 m Dual P-Channel, -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5 V 19 m Enhancement mode I D -10 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching and High efficiency SOP8 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Packa

Другие MOSFET... SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , IRF540N , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE .

History: NTTS2P03R2 | 2SK1429 | VS3618AE | CEP6030L | 60NM60G-T47 | 2SK1388

 

 

 

 

↑ Back to Top
.