VS3622DE Todos los transistores

 

VS3622DE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3622DE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VS3622DE datasheet

 ..1. Size:735K  cn vanguard
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VS3622DE

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

 ..2. Size:1034K  cn vgsemi
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VS3622DE

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel, 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Pac

 7.1. Size:1142K  cn vgsemi
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VS3622DE

VS3622DP2 30V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement mode I D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 7.2. Size:1113K  cn vgsemi
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VS3622DE

VS3622DP 30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Markin

Otros transistores... VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , IRFB4110 , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , VS4518AD , VS4602AP .

History: WMB128N10T2 | BLM3401A | WSD4080DN56

 

 

 


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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

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