Справочник MOSFET. VS3622DE

 

VS3622DE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3622DE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS3622DE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3622DE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  cn vanguard
 vs3622de.pdf pdf_icon

VS3622DE

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

 ..2. Size:1034K  cn vgsemi
 vs3622de.pdf pdf_icon

VS3622DE

VS3622DE30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel, 5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement modeI D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking Pac

 7.1. Size:1142K  cn vgsemi
 vs3622dp2.pdf pdf_icon

VS3622DE

VS3622DP230V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement modeI D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 7.2. Size:1113K  cn vgsemi
 vs3622dp.pdf pdf_icon

VS3622DE

VS3622DP30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Markin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , IRF640N , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , VS4518AD , VS4602AP .

History: JCS18N50WE | NVMFS5C404N | CTM02N60 | BSD314SPE | IRFU024PBF | 2SK1633

 

 
Back to Top

 


 
.