VS4020AS Todos los transistores

 

VS4020AS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4020AS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de VS4020AS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS4020AS datasheet

 ..1. Size:571K  cn vanguard
vs4020as.pdf pdf_icon

VS4020AS

VS4020AS 40V/18A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 40 V Low On-Resistance R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.0 m Fast Switching R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m 100% Avalanche Tested I D 18 A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description VS4020AS designed by the trench processing techniques to achieve extremely

 7.1. Size:765K  cn vanguard
vs4020ap.pdf pdf_icon

VS4020AS

VS4020AP 40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.5 m Enhancement mode I D 80 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test PDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking i

 8.1. Size:401K  cn vanguard
vs40200at.pdf pdf_icon

VS4020AS

VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

 8.2. Size:1058K  cn vgsemi
vs40200ap.pdf pdf_icon

VS4020AS

VS40200AP 40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel

Otros transistores... VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , IRFB4227 , VS4080AI , VS4410AT , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS .

History: WSD40N10GDN56 | FDB2552 | 2SK1623S | IRFB4615 | WSD30L30DN | VN0104N7 | BRD50N03

 

 

 


History: WSD40N10GDN56 | FDB2552 | 2SK1623S | IRFB4615 | WSD30L30DN | VN0104N7 | BRD50N03

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

Popular searches

fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667

 

 

↑ Back to Top
.